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【小结】综上所述，布局作者首次将自调节阴离子交换策略应用于光电应用中，并成功地实现了一种有希望的性能提升。图四、时机太阳能适应PVCD的工作原理（a）太阳能适应PVCD的充电状态和放电状态电路图。
已到业（f）单片PVCD的横截面SEM图像为玻璃/FTO/PV/EC/FTO/玻璃器件结构。鉴于此，两主料电最近通过两种途径将半透明特性应用于串联结构PVCD：两主料电（1）在本质上不透明的PV层上物理减小厚度或图案化空隙窗户导致低原始透射率（T%）和低对比度在PVCD中。（d）1-stepMAPbCl3、线布MAPbBr3和2-stepMAPbCl3薄膜的X射线衍射图。
【图文解读】图一、局燃PVCDs结构的演变和钙钛矿薄膜的表征（a）四端并排式PV-EC器件架构：PV元件的两端和EC元件的两端通过两个外圆连接。（c）对于不同日照强度充电的PVCD，池产充电过程完成后EC元件的电容（Q）。
基于此，底部作者制备了一种光电致变色器件，该器件在垂直串联结构中结合了可见透明钙钛矿PV层和基于离子凝胶的电致变色组件，无需任何中间电极。
布局（b-c）CIE1976（u′,v′）坐标和不同日光强度下PVCD的照片。【小结】综上所述，时机低温溶液加工的In2S3纳米片/CdS复合层是Sb2Se3纳米棒阵列太阳能电池的有效缓冲层。
因此，已到业已经研究了替代地球丰富的吸光材料以用于高效、环保和稳定的太阳能电池。两主料电d)Sb2Se3/In2S3-CdS核/壳纳米棒TEM图像。
然而，线布Sb2Se3纳米棒阵列的太阳能电池的界面工程对提高性能更为关键，线布因为它具有较大的表面积和长径比，很难覆盖到致密的缓冲层以形成均匀的异质结界面。【成果简介】近日，局燃在河北大学李志强副教授团队等人带领下，局燃构建了一个相互啮合的In2S3纳米片-CdS复合材料作为缓冲层，紧密地涂覆在Sb2Se3纳米棒表面。
